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第423章 钻石囚笼（第3页）

黄河思考了良久。

“行。拼！我负责种瓷砖，你们负责贴。”

解决了“大”，还要解决“平”。

哪怕是小块的钻石，表面依然是粗糙的多晶面，像砂纸一样。要把它磨成镜面，才能和芯片键合。

“CMP太慢了。”林远看着黄河的抛光机，“我们要换个思路。”

“不用磨的。用刻的。”

“等离子体刻蚀抛光。”

林远调出了之前在“普罗米修斯”计划中获得的资料。

“利用高能氧离子束，以极低的角度掠射金刚石表面。”

“突起的部分，会被优先氧化成二氧化碳气体飞走。凹陷的部分，保留下来。”

“这叫原子级刨平。”

“这需要昂贵的电感耦合等离子体刻蚀机。”黄河皱眉，“那是半导体设备，我这里只有压机。”

“我给你调。”林远立刻拨通了孙大炮的电话，“把江钢工业之心备用的那台国产刻蚀机，拉到柘城来！”

一个月后。

第一批马赛克金刚石晶圆制作完成。表面粗糙度终于降到了2纳米。

虽然还不够完美，但已经是国内极限。

接下来，是最关键的一步键合。

把这块金刚石晶圆，和那块脆弱的铌酸锂光子芯片，永久地粘在一起。

PFL实验室。

李振声教授看着两块晶圆，手心出汗。

“我们不能用胶水。胶水导热太差，会成为热瓶颈。”

“必须用范德华力直接键合。”

“也就是，让两个表面的原子，靠得足够近，利用分子间作用力吸在一起。”

“但是，金刚石太硬，铌酸锂太脆。稍微有一点点灰尘，或者一点点不平，键合就会失败，甚至产生空洞。”

“一旦有空洞，热量积聚，芯片必炸。”

“试试表面活化+中间层。”林远建议。

“在金刚石表面，镀一层极薄的非晶硅。在铌酸锂表面，也镀一层非晶硅。然后，利用硅和硅之间的键合。硅比较软，可以填补金刚石表面的微小坑洼。”

“但这会增加热阻。”李振声担心。

“5纳米的硅，热阻可以忽略不计。”林远计算了一下，“只要能贴紧，比什么都强。”

实验开始。

真空键合机内，两片晶圆缓缓靠近。

压力施加：2000牛顿。

温度：室温。

“接触波扩散……”李振声盯着红外显微镜。

屏幕上，代表键合区域的黑色斑点开始迅速扩大，那是原子正在吸合的标志。

一切看起来都很顺利。